通过载流子选择性接触（CSCs）形成非对称的电子和空穴传输成为近年来解决硅与金属电极接触处复合的重要方法。江苏海洋大学刘莹（第一作者）、黄增光教授（通讯作者）等成功地制备出了基于低温原子层沉积技术的Al掺杂TiO₂（ATO）薄膜，并将其作为电子选择性接触薄膜应用于硅太阳电池上，不仅实现了低温掺杂（150 ℃），而且同时获得最高为253.0 μs的少数载流子寿命和19.7 mΩ cm²的低接触电阻率，表明ATO/LiF/Al层具有良好的电子选择特性。该工作为实现低能耗的高效晶硅太阳电池提供了新途径。

成果发表在Advanced Materials Interfaces期刊上，并被选为封面文章 “Electron-Selective Contacts ATO/LiF/Al-Based High-Performance N-Type Silicon Solar Cells”(DOI：10.1002/admi.202201512)。该工作获得了国家自然科学基金（61774069）、江苏省自然科学基金（BK20221395）等项目支持。