论文简介

宽带隙氧化物由于其低寄生吸收和低温工艺而被认为是硅太阳电池的一种很有前途的钝化接触。然而，除了高退火温度和复杂的退火工艺之外，这些器件的功率转换效率(PCE)仍然不令人满意。在这项工作中，我们使用低温、简单的旋涂SiO2，基于全面积免掺杂AlOx/SiO2/LiF钝化接触的n型Si同质结太阳电池，实现了22.46%的冠军PCE，并且证明了与基于其它免掺杂宽带隙氧化物太阳电池相比，该效率和工艺具有显著优势。成功的关键在于同时实现了AlOx/SiO2/LiF钝化接触的超低接触电阻率(ρc)和优异的表面钝化。至关重要的是，我们在旋涂20 nm厚的SiO2层中发现了一种新的类针孔状载流子传输机制，导致AlOx/SiO2/LiF钝化接触的超低ρc (0.244 mΩ·cm2)。旋涂SiO2中的类针孔状载流子传输显著拓宽了界面钝化层的厚度范围，使晶体硅钝化接触太阳能电池具有优异的性能，并通过低温和简单的工艺在高效硅和钙钛矿/硅叠层太阳电池中显示出良好的应用前景。