载流子选择性接触太阳电池是新一代高效晶硅电池的研究焦点。其核心原理是通过特定材料结构，实现对电子和空穴的高效、选择性传输，同时极大抑制其在接触界面的复合。传统晶硅电池的金属电极与硅直接接触，存在严重的载流子复合。而选择性接触电池通过在金属与硅基底之间插入功能层（如氧化硅/掺杂多晶硅叠层、金属氧化物、有机化合物等），仅允许一种载流子（电子或空穴）高效通过，另一种则被阻挡，从而显著提升开路电压和转换效率。该技术主要分为电子选择性接触（如TOPCon）和空穴选择性接触（如异质结HJT）。其中，基于隧穿氧化钝化接触（TOPCon）的电池已实现超过26%的实验室效率，并快速走向产业化。其优势在于兼容现有产线、效率潜力高、温度系数低。当前研究集中于接触材料设计与优化、界面钝化机理、低温工艺开发以及低成本制备技术，旨在进一步提高效率、降低成本和提升稳定性，推动光伏产业持续发展。